HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器,采用8引腳超小型塑料表貼封裝,帶裸露焊盤(pán)(MINI_SO_EP)。該無(wú)源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造,無(wú)需外部元件或匹配電路。
HMC220B是一個(gè)超微型,雙平衡混頻器在一個(gè)8引腳迷你小外形封裝與裸露墊(Mini SosiEP)。這種基本的單片微波集成電路(MMIC)混頻器由砷化鎵(GaAs)肖特基二極管和平面變壓器Baluns構(gòu)成。
HMC129ALC4是一款通用型雙平衡單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳無(wú)鉛LCC封裝,在4 GHz至8 GHz工作頻段內(nèi)可用作上變頻器或下變頻器。HMC129ALC4非常適合需要小尺寸,無(wú)需直流偏置和穩(wěn)定IC性能的應(yīng)用。
HMC292ALC3B是一款通用型雙平衡單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳無(wú)鉛LCC封裝,在14 GHz至30 GHz頻率范圍內(nèi)可用作上變頻器或下變頻器。HMC292ALC3B非常適合需要小尺寸,無(wú)需直流偏置和穩(wěn)定IC性能的應(yīng)用。
HMC6146BLC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q可變?cè)鲆嫔献冾l器,采用無(wú)引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供12 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,具有25 dBc邊帶抑制和17 db增益控制。 HMC 6146BLC5A采用RF可變?cè)鲆娣糯笃鳎?/p>
HMC6787ALC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q可變?cè)鲆嫔献冾l器,采用無(wú)引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供11 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,具有17 dBc邊帶抑制和13 dB增益控制。 HMC6787ALC5A采用RF可變?cè)鲆娣糯笃?,在其之前為一個(gè)I/Q混頻器,LO由X2倍頻器驅(qū)動(dòng)。
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)LO的I/Q混頻器。
HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)LO的I/Q混頻器。
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器,工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,以及 22 dBc 的邊帶抑制。
HMC572LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件在整個(gè)頻段范圍內(nèi)提供8 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、3.5 dB的噪聲系數(shù)和18 dB的鏡像抑制性能。
HMC904LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件提供12 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、3 dB的噪聲系數(shù),并在頻段范圍內(nèi)提供30 dB的鏡像抑制性能。
HMC967LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件提供15 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、2.5 dB的噪聲系數(shù),并在頻段范圍內(nèi)提供25 dBc的鏡像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA,后接由有源x2倍頻器驅(qū)動(dòng)的鏡像抑制混頻器。
HMC977LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、2.7 dB的噪聲系數(shù)和21 dBc的鏡像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA,后接由有源x2倍頻器驅(qū)動(dòng)的鏡像抑制混頻器。
HMC6147ALC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無(wú)引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供13 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,具有25 dBc邊帶抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪聲放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)I/Q混頻器,LO由X2倍頻器驅(qū)動(dòng)。
HMC6789BLC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳、陶瓷無(wú)鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的鏡像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪聲放大器驅(qū)動(dòng)I/Q混頻器,其中LO由x2乘法器驅(qū)動(dòng)
HMC1065LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC鏡像抑制低噪聲變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛SMT封裝。 該器件提供13 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,17 dBc的鏡像抑制和-2 dBm輸入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍頻器驅(qū)動(dòng)的I/Q混頻器工作。
HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無(wú)鉛5 x 5 mm低應(yīng)力注塑塑料表貼封裝。 該器件提供12 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)和25 dBc的鏡像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅(qū)動(dòng)的鏡像抑制混頻器。
HMC951B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件在整個(gè)頻段范圍內(nèi)提供13 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、2 dB的噪聲系數(shù)和24 dB的鏡像抑制性能。 HMC951B采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅(qū)動(dòng)的鏡像抑制混頻器。
HMC8108是一款緊湊型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪聲轉(zhuǎn)換器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷無(wú)鉛芯片載體封裝。HMC8108將范圍為9 GHz至10 GHz的射頻(RF)輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出端的60 MHz典型單端中頻(IF)信號(hào)。
HMC1056LP4BE是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無(wú)鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無(wú)鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立在Qorvo的氮化鎵技術(shù)基礎(chǔ)之上,該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的效率,可靠性,功率和可生存性,并可節(jié)省尺寸,重量和成本。每個(gè)FEM將關(guān)鍵的T / R模塊功能集成到一個(gè)緊湊的封裝中:T / R開(kāi)關(guān),功率放大器和低噪聲放大器(LNA)。
HMC520A是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、陶瓷無(wú)鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。
HMC8191是一款無(wú)源寬帶I/Q單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,可用作接收器鏡像抑制混頻器或發(fā)射器單邊帶上變頻器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬,非常適合需要寬頻率范圍
HMC524ALC3B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT陶瓷封裝。 該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件,均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC498LC4是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用無(wú)引腳“無(wú)鉛”SMT封裝。 該放大器具有17至24 GHz的工作范圍,提供22 dB增益、+26 dBm飽和功率和23% PAE(+5V電源電壓)。
HMC383LC4是一款通用GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動(dòng)放大器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該放大器采用+5V單電源,增益為15 dB,飽和功率為+18 dBm。 在整個(gè)工作頻帶內(nèi)具有一致的增益和輸出功率
HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動(dòng)放大器,采用無(wú)鉛4x4 mm表貼陶瓷封裝,工作頻率范圍為5.5至17 GHz。 該放大器提供高達(dá)30 dB的增益、+30 dBm輸出IP3及+23 dBm的輸出功率
HMC634LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動(dòng)放大器,采用無(wú)鉛4x4 mm陶瓷表貼封裝,工作頻率范圍為5至20 GHz。 該放大器提供高達(dá)21 dB的增益、+29 dBm輸出IP3及+22 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時(shí)),功耗為180 mA(+5V電源)。
HMC498是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC功率放大器,工作頻率范圍為17至24 GHz。 HMC498提供24 dB增益,飽和功率為+27 dBm,電源電壓為+5V (25% PAE)。 由于尺寸較小,HMC498放大器可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。