產(chǎn)品詳情介紹
CGH09120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計(jì),這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應(yīng)用的理想選擇。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
?UHF-2.5 GHz操作
?21 dB增益
?20W路面處-38 dBc ACLR
?20W鋪面時(shí)35%的效率
?可采用高度DPD校正
重要參數(shù)
CGH09120F大功率寬帶氮化鎵HEMT
功率120W
DC-2.5GHz
增益21dB
效率35%@20W Pave
現(xiàn)貨庫(kù)存
產(chǎn)品詳情介紹
CGH09120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計(jì),這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應(yīng)用的理想選擇。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
?UHF-2.5 GHz操作
?21 dB增益
?20W路面處-38 dBc ACLR
?20W鋪面時(shí)35%的效率
?可采用高度DPD校正