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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術(shù)。

澆口寬度為120μm，0.15微米。T形鋁制閘門(mén)具有低電阻和出色的可靠性。

該器件顯示出非常高的跨導(dǎo)，從而導(dǎo)致非常高的頻率和低噪聲性能。

它以芯片形式提供，帶有通過(guò)孔連接的源極，僅需限制柵線和漏極線。