產(chǎn)品詳情介紹
CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L(zhǎng)波段的各種RF功率應(yīng)用提供了寬帶解決方案。該電路非常適合脈沖雷達(dá)應(yīng)用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長(zhǎng)的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準(zhǔn)MMIC技術(shù)。
它以符合RoHS的SMD封裝提供。
重要參數(shù)
CHZ015AaQEG 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管
射頻帶寬(GHz): 1.2-1.4
小信號(hào)增益(dB):16
功率(W):15
相關(guān)增益(dB): > 14
P-1dB輸出(dBm):-
PAE(%): > 55
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L(zhǎng)波段的各種RF功率應(yīng)用提供了寬帶解決方案。該電路非常適合脈沖雷達(dá)應(yīng)用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長(zhǎng)的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準(zhǔn)MMIC技術(shù)。
它以符合RoHS的SMD封裝提供。