產品詳情介紹
CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品為雷達和電信等各種RF電源應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路是在SiC襯底上采用0.25μm柵長的GaN HEMT技術制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配電路。
重要參數
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻率(GHz): 18 @ 6
工作頻率(GHz): 最多8個
飽和功率(W): 88
PAE(%)@頻率(GHz): 65 @ 6
訂貨交期:3-4周
產品詳情介紹
CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品為雷達和電信等各種RF電源應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路是在SiC襯底上采用0.25μm柵長的GaN HEMT技術制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配電路。