產(chǎn)品詳情介紹
CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產(chǎn)品為雷達和電信等各種RF電源應(yīng)用提供通用和寬帶解決方案。
該電路是在SiC襯底上采用0.25μm柵長的GaN HEMT技術(shù)制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配電路。
重要參數(shù)
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻率(GHz):17 @ 6
工作頻率(GHz): 高達10GHz
飽和功率(W): 14
PAE(%)@頻率(GHz): 70 @ 6
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產(chǎn)品為雷達和電信等各種RF電源應(yīng)用提供通用和寬帶解決方案。
該電路是在SiC襯底上采用0.25μm柵長的GaN HEMT技術(shù)制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配電路。