產(chǎn)品詳情介紹
CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標準的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。
它以芯片形式提供。
重要參數(shù)
CHA2069-99F 放大器– LNA
射頻帶寬(GHZ):16 - 31
增益(dB):22
增益同軸度(dB):1
噪聲系數(shù)(dB):2.5
P-1dB輸出(dBm):10
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標準的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。
它以芯片形式提供。