產(chǎn)品詳情介紹
所述CHA3666-FAB是兩級自偏置寬頻帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。
建議采用無鉛表面貼裝全封閉金屬陶瓷6x6mm2封裝。整體電源為4V / 80mA。
該電路專用于太空應(yīng)用,也非常適合各種微波和毫米波應(yīng)用和系統(tǒng)。
重要參數(shù)
CHA3666-FAB 放大器– LNA
射頻帶寬(GHZ): 6 - 16
增益(dB):21
增益同軸度(dB):1
噪聲系數(shù)(dB):1.8
P-1dB輸出(dBm):17
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
所述CHA3666-FAB是兩級自偏置寬頻帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。
建議采用無鉛表面貼裝全封閉金屬陶瓷6x6mm2封裝。整體電源為4V / 80mA。
該電路專用于太空應(yīng)用,也非常適合各種微波和毫米波應(yīng)用和系統(tǒng)。