產(chǎn)品詳情介紹
CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。
重要參數(shù)
CHA3666-99F 放大器– LNA
射頻帶寬(GHZ): 6 - 17
增益(dB):21
增益同軸度(dB):0.5
噪聲系數(shù)(dB):1.8
P-1dB輸出(dBm):17
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT工藝制造:柵極長度0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻。