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CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。

該設備使用UMMS 0.25μm功率pHEMT工藝制造，包括通過基板的通孔和空氣橋。

為了簡化組裝過程：

• 芯片的背面同時射頻和直流接地

• 焊盤和背面均鍍金，以與共晶芯片附著方法和熱壓鍵合工藝兼容。