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ADRF5160單刀雙擲(SPDT)反射開關(guān)ADI

發(fā)布時間:2025-02-12 15:52:44     瀏覽:220

ADRF5160Analog Devices Inc.ADI)推出的一款高性能硅基0.7 GHz4.0 GHz單刀雙擲(SPDT)反射開關(guān),采用無引腳、表面貼裝的封裝形式。ADRF5160專為高功率應(yīng)用和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施,如長期演進(jìn)(LTE)基站等設(shè)計(jì)。ADRF5160具備出色的高功率處理能力,其長期(>10年)平均典型值在8 dB峰均比LTE條件下可達(dá)41 dBm,同時在2.0 GHz以下的典型插入損耗僅為0.7 dB。此外,ADRF5160的輸入三階截點(diǎn)(IP3)典型值為70 dBm0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)典型值為47 dBm。

ADRF5160的片上電路在5 V單正電源電壓下運(yùn)行,典型電源電流僅為1.1 mA,是PIN二極管開關(guān)的理想替代方案。ADRF5160的封裝符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),采用緊湊的32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP設(shè)計(jì)。

ADRF5160.png

特性概述:

反射式設(shè)計(jì),50 Ω阻抗匹配

低插入損耗:在2.0 GHz以下,典型值為0.7 dB

高功率處理能力,在TCASE = 105°C條件下表現(xiàn)優(yōu)異

長期(>10年)平均功率表現(xiàn):

連續(xù)波功率:43 dBm

峰值功率:49 dBm

LTE平均功率(8 dB峰均比):41 dBm

單次事件(<10秒)平均LTE功率(8 dB峰均比):44 dBm

高線性度表現(xiàn):

P0.1dB典型值:47 dBm

IP3典型值:70 dBm

靜電放電(ESD)保護(hù)等級高:

人體模型(HBM):4 kV,3A

帶電設(shè)備模型(CDM):1.25 kV

單正電源電壓:5 V

正控制信號,兼容CMOS/TTL電平

緊湊的32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

應(yīng)用領(lǐng)域:

無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備

軍事及高可靠性應(yīng)用場景

測試測量設(shè)備

作為PIN二極管開關(guān)的替代方案

深圳市立維創(chuàng)展科技是ADI的分銷商,主要提供放大器、線性產(chǎn)品、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、音視頻產(chǎn)品、寬帶產(chǎn)品、時鐘和定時IC、光纖通信產(chǎn)品、接口和間隔、MEMS和傳感器、電源和熱經(jīng)管、處理器和DSP、射頻和圖形處理器、開關(guān)和分配器等,產(chǎn)品原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢,歡迎咨詢。

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