900 V分立碳化硅MOSFET CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-12-17 11:21:28 瀏覽:376
CREE擴(kuò)展了其在碳化硅(SiC)技術(shù)中的主導(dǎo)地位,低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離(~8mm)。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運(yùn)用最新的MOSFET芯片高頻性能,并且提供應(yīng)用于高污染環(huán)境的超額電氣隔離。獨(dú)立的開爾文源管腳減少了功率電感;從而開關(guān)損耗減少了30%。設(shè)計(jì)師可以借助從硅基轉(zhuǎn)向硅基來(lái)降低器件數(shù)量;通過增加開關(guān)性能,可以通過三電平拓?fù)滢D(zhuǎn)換成更高效的兩電平拓?fù)洹?/span>
特征
在整體工作溫度范圍內(nèi),最低電壓是900V Vbr
帶驅(qū)動(dòng)源的低阻抗封裝
高阻斷電壓,低RDS(開啟)
低反向恢復(fù)(Qrr)的高效本征二極管
有利于并聯(lián),使用簡(jiǎn)單
優(yōu)勢(shì)
通過減少開關(guān)和傳遞損耗提升系統(tǒng)效率
實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率操控
提高系統(tǒng)級(jí)功率密度
降低系統(tǒng)規(guī)模;凈重;和冷卻需求
啟動(dòng)新的硬開關(guān)拓?fù)洌?/span>Totem Pole PFC)
典型應(yīng)用
電機(jī)控制系統(tǒng)
新能源充電樁系統(tǒng)
應(yīng)急電源(UPS)
電池測(cè)試系統(tǒng)
新能源電動(dòng)車極速充電系統(tǒng)
車載充電器
傳動(dòng)裝置
焊接工藝
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Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |
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