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GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管

發(fā)布時間：2024-11-20 16:51:18 瀏覽：318

GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。GTRB246608FC-V1具備高效率和無軸環(huán)的熱增強封裝。

產(chǎn)品規(guī)格

闡述：高功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最高頻率（MHz）：2400

增益（dB）：15.7

封裝類別：Earless

特征

典型脈沖CW性能，2400 MHz，48 V，10μs脈沖頻率，10%占空比，組合輸出

P4dB=600 W時的輸出功率

P4dB=60%時的效率

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