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WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE

發(fā)布時(shí)間：2024-11-14 17:26:18     瀏覽：435

WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非對(duì)稱多赫蒂功率放大器模塊（PAM），將GaN on SiC技術(shù)應(yīng)用和現(xiàn)代化的匹配和偏置電壓網(wǎng)絡(luò)集成在具備高端散熱系統(tǒng)的多層層壓基材上。WS1A2639-V1-R3K頻率范圍在2496 MHz至2690 MHz。并且使用最高50V的電源電壓；均值輸出功率標(biāo)準(zhǔn)為6至8 W，最高值因子下降，數(shù)字預(yù)失真的LTE和5G NR數(shù)據(jù)信號(hào)，瞬時(shí)帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封裝在6mm X 6mm的焊層?xùn)鸥耜嚵校?/span>LGA）封裝中。

WS1A2639-V1-R3K.png

產(chǎn)品規(guī)格

闡述：38.5dBmGaN on SiC功率放大器模塊；2496-2690MHz

最低頻率（MHz）：2496

最高頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：50

增益值（dB）：16.5

效率（%）：57

額定電壓（V）：48

封裝類別：表面貼裝

封裝：封裝分立晶體管

技術(shù)應(yīng)用：SiC上的GaN

特征

GaN基SiC技術(shù)應(yīng)用

從器件兩側(cè)為主導(dǎo)和最高值子放大器具備柵極偏置電壓電源

集成化諧波終端

無(wú)鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)

推薦的驅(qū)動(dòng)安裝是WSGPA01

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)經(jīng)銷CREE微波器件，如若需要購(gòu)CREE產(chǎn)品，請(qǐng)點(diǎn)擊右側(cè)客服聯(lián)系我們！??！

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